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STB4NC60A-1 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB4NC60A-1 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh™ I MOSFET

STB4NC60A-1 Datasheet (PDF)

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STB4NC60A-1 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB4NC60A-1 Produktdetails

DESCRIPTION
The PowerMESH™ II is the evolution of the first generation of MESH OVERLAY™. The layout refinements introduced greatly improve the Ron*area figure of merit while keeping the device at the lead ing edge for what concerns swithing speed, gate
charge and ruggedness.

■ TYPICAL RDS(on) = 1.8Ω
■ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK
■ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVERS




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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