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P5NB100FP Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
P5NB100FP Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N - CHANNEL 1000V - 2.4ohm - 5A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET

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P5NB100FP Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


P5NB100FP Produktdetails

DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™ process, STMicroelectronics has designed an advanced family of power MOSFETs with outstanding performances. The new patent pending strip layout coupled with the Company’s proprieraty edge termination structure, gives the lowest RDS(on) per area, exceptional avalanche and dv/dt capabilities and unrivalled gate charge and switching characteristics.

▪ TYPICAL RDS(on) = 2.4 Ω
▪ EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
▪ 100% AVALANCHE TESTED
▪ VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES
▪ GATE CHARGE MINIMIZED

APPLICATIONS
▪ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
▪ SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
▪ DC-AC CONVERTERS FOE WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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