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STB6NC80Z-1 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB6NC80Z-1 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-CHANNEL 800V - 1.5ohm - 5.4A TO-220/FP/D²PAK/I²PAK Zener-Protected PowerMESH™ III MOSFET

STB6NC80Z-1 Datasheet (PDF)

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STB6NC80Z-1 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB6NC80Z-1 Produktdetails

DESCRIPTION

The third generation of MESH OVERLAY™ Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher rug gedness performance as requested by a large variety of single-switch applications.



■ TYPICAL RDS(on) = 1.5Ω

■ EXTREMELY HIGH dv/dt AND CAPABILITY GATE-TO- SOURCE ZENER DIODES

■ 100% AVALANCHE TESTED

■ VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE

■ GATE CHARGE MINIMIZED




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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