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STP80N03L-06 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STP80N03L-06 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR

STP80N03L-06 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ULTRA HIGH DENSITY POWER MOS TRANSISTOR

STP80N03L-06 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STP80N03L-06 Produktdetails

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE "ULTRA HIGH DENSITY" POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω
■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C
■ HIGH CURRENT CAPABILITY
■ 175°C OPERATING TEMPERATURE
■ HIGH dV/dt RUGGEDNESS
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ POWER MOTOR CONTROL
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ SYNCRONOUS RECTIFICATION




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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