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STP80NE03L-06 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STP80NE03L-06 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE SINGLE FEATURE SIZE POWER MOSFET

STP80NE03L-06 Datasheet (PDF)

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STP80NE03L-06 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STP80NE03L-06 Produktdetails

DESCRIPTION
This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique ”Single Feature Size” strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDS(on) = 0.005 Ω
■ EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
■ 100% AVALANCHE TESTED
■ LOW GATE CHARGE 100 oC
■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

APPLICATIONS
■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS
■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS
■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc. )




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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