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STB19NM65NT4 Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STB19NM65NT4 Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh??Power MOSFET

STB19NM65NT4 Datasheet (PDF)

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STB19NM65NT4 Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STB19NM65NT4 Produktdetails

Description
This series of devices implements the second generation of MDmesh™ Technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the Company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters

Features
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance

Application
■ Switching applications




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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