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3SK296 Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

3SK296 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

3SK296 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

3SK296 Datenblatt (HTML) - Renesas Technology Corp


3SK296 Produktdetails

Features
• Low noise figure.
   NF = 2.0 dB Typ. at f = 900 MHz
• Capable of low voltage operation

Application
   UHF RF amplifier




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Über Renesas Technology Corp


Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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