2SC5593 Datenblatt(PDF) - Renesas Technology Corp

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2SC5593 Produktdetails

Features
• High gain bandwidth product
fT = 23 GHz typ.
• High power gain and low noise figure ;
PG = 18 dB typ. , NF = 1.8 dB typ. at f = 1.8 GHz

Ähnliche Teilenummer - 2SC5593

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Hitachi Metals, Ltd	2SC5593	46Kb / 8P	High gain bandwidth product

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	UPA801T	217Kb / 8P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
	UPA810T	223Kb / 8P	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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