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STW9NC80Z Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
STW9NC80Z Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH™ II MOSFET

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STW9NC80Z Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


STW9NC80Z Produktdetails

The third generation of MESH OVERLAY Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested by a large variety of single-switch applications.



TYPICAL RDS(on) = 0.82Ω

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES

100% AVALANCHE TESTED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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