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40TTS12PBF Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
40TTS12PBF Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer 40TTS12PBF
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung Phase Control SCR, 40 A

40TTS12PBF Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Phase Control SCR, 40 A

40TTS12PBF Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


40TTS12PBF Produktdetails

DESCRIPTION
The VS-40TTS12... high voltage series of silicon controlled rectifiers are specifically designed for medium power switching and phase control applications. The glass passivation technology used has reliable operation up to 140 °C junction temperature.

FEATURES
• Designed and qualified according to
   JEDEC-JESD47
• 140 °C max. operating junction temperature
• Material categorization:
   For definitions of compliance please see
   www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS
• Typical usage is in input rectification crowbar (soft start)
   and AC switch in motor control, UPS, welding, and battery
   charge




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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