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43CTQ080GS Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
43CTQ080GS Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung Schottky Rectifier, 2 x 20 A

43CTQ080GS Datasheet (PDF)

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43CTQ080GS Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


43CTQ080GS Produktdetails

DESCRIPTION
This center tap Schottky rectifier series has been optimized for very low reverse leakage at high temperature. The proprietary barrier technology allows for reliable operation up to 175 °C junction temperature. Typical applications are in switching power supplies, converters, freewheeling diodes, and reverse battery protection.

FEATURES
• 175 °C TJ operation
• Center tap configuration
• Low forward voltage drop
• High purity, high temperature epoxy encapsulation for enhanced mechanical strength and moisture resistance
• High frequency operation
• Guard ring for enhanced ruggedness and long term reliability
• Designed and qualified for industrial level




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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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