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IRFBE20 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix
IRFBE20 Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Teilenummer IRFBE20
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Hersteller  VISHAY [Vishay Siliconix]
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Bauteilbeschribung Power MOSFET

IRFBE20 Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Power MOSFET

IRFBE20 Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


IRFBE20 Produktdetails

DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES
• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• Lead (Pb)-free Available




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Vishay Siliconix		 IRFBE20PBF VISHAY-IRFBE20PBF Datasheet
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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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