VB20150C Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VB20150C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VB20150C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

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VB20150C Produktdetails

Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A

FEATURES

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reverse battery protection.

Ähnliche Teilenummer - VB20150C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VB20150C	161Kb / 6P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 20-Nov-12
	VB20150C-E3	161Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	VB20150C-E3	218Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 18-Jun-2018
Inchange Semiconductor ...	VB20150C-E3	314Kb / 2P	Schotty Barrier Diode
Vishay Siliconix	VB20150C-E3/4W	163Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09

Ähnliche Beschreibung - VB20150C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	V10150S	156Kb / 5P	High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Aug-13
	VB10150S-M3	86Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13
	V20150C-E3	161Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5 A 13-Dec-16
	VB20150C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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