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THBT200S Datenblatt (PDF) - STMicroelectronics
THBT200S Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Bauteilbeschribung TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION

THBT200S Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR FOR SLIC PROTECTION

THBT200S Datenblatt (HTML) - STMicroelectronics


THBT200S Produktdetails

DESCRIPTION
This monolithic protection device has been especiallydesigned to protectsubscriber line cards.The THBT200 device is particularly suitable to protect ring generator relay against transient overvoltages.

FEATURES
■ DUAL BIDIRECTIONAL CROWBAR PROTECTION.
■ PEAK PULSE CURRENT : - IPP = 75 A, 10/1000 µs.
■ HOLDING CURRENT = 150 mA min
■ BREAKDOWN VOLTAGE = 200 V min.
■ BREAKOVERVOLTAGE = 290 V max.
■ MONOLITHIC DEVICE.




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Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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