UG5JTHE3/45 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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Ähnliche Teilenummer - UG5JTHE3/45

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	UG5JT	44Kb / 3P	Ultrafast Rectifiers 02-Jul-02

Ähnliche Beschreibung - UG5JTHE3/45

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
STMicroelectronics	STTH112	60Kb / 6P	HIGH VOLTAGE ULTRAFAST RECTIFIER Jan-2003
	STTH112	88Kb / 7P	High voltage ultrafast rectifier 20-Mar-2007
	STTH310	85Kb / 7P	High voltage ultrafast rectifier 03-Apr-2007
Vishay Siliconix	UG8HT	144Kb / 5P	High Voltage Ultrafast Rectifier 12-Nov-07
	UH10JT	130Kb / 5P	High Voltage Ultrafast Rectifier 25-Aug-08
	UGF8XT	133Kb / 5P	High Voltage Ultrafast Rectifier 21-Aug-13
	UGFB5HT	134Kb / 5P	High Voltage Ultrafast Rectifier 09-Nov-07
	UH5JT	120Kb / 4P	High Voltage Ultrafast Rectifier 07-Dec-12
	UH8JT	129Kb / 5P	High Voltage Ultrafast Rectifier 13-May-08
STMicroelectronics	STTH240F04	305Kb / 9P	Ultrafast high voltage rectifier May 2015

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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