UH10FT Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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UH10FT Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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UH10FT Produktdetails

FEATURES
• Oxide planar chip junction
• Ultrafast recovery times
• Soft recovery characteristics
• Low switching losses, high efficiency
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AC package)
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency rectification and freewheeling application in switching mode converter and inverter for consumer.

Ähnliche Teilenummer - UH10FT

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	UH10FT	129Kb / 5P	Ultrafast Recovery Rectifier Revision: 13-May-08
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Vishay Siliconix	UH10FT	129Kb / 5P	Ultrafast Recovery Rectifier Revision: 13-May-08

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DAESAN ELECTRONIC CORP.	UF4001G	128Kb / 2P	ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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