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MRFG35002N6AT1 Datenblatt (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

MRFG35002N6AT1 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc
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Bauteilbeschribung Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

MRFG35002N6AT1 Datasheet (PDF)

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MRFG35002N6AT1 Datenblatt (HTML) - Freescale Semiconductor, Inc


MRFG35002N6AT1 Produktdetails

3.5 GHz, 1.5 W, 6 V POWER FET GaAs PHEMT

Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications. Characterized from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ = 65 mA, Pout = 158 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
   Power Gain — 10 dB
   Drain Efficiency — 26.5%
   ACPR @ 5 MHz Offset — -42 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
• 1.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW

Features
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.




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Über Freescale Semiconductor, Inc


Freescale Semiconductor war eine amerikanische Halbleiterfirma, die 1948 gegründet wurde.
Das Unternehmen war ein führender Anbieter von Mikrocontrollern, Sensoren und anderen Halbleiterprodukten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.
Die Produkte von Freescale waren für ihre hohe Leistung, ihren geringen Stromverbrauch und ihren kleinen Formfaktor bekannt.
Das Unternehmen wurde 2015 von den NXP -Semikoneitern übernommen, und seine Produkte und Technologien werden weiterhin unter der Marke NXP entwickelt und verkauft.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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