BF996S Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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BF996S Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

BF996S Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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BF996S Produktdetails

DESCRIPTION
Depletion type field-effect transistor in a plastic SOT143 microminiature package with interconnected source and substrate.

FEATURES
• Protected against excessive input voltage surges by integrated back-to-back diodes between gates and source.

APPLICATIONS
• RF applications such as:
– UHF television tuners
– Professional communication equipment.

Ähnliche Teilenummer - BF996S

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BF996S	35Kb / 5P	N-channel dual-gate MOS-FET April 1991
Siemens Semiconductor G...	BF996S	135Kb / 8P	Silicon N Channel MOSFET Tetrode (For input stages in UHF TV tuners High transconductance Low noise figure)
TEMIC Semiconductors	BF996S	68Kb / 5P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
NXP Semiconductors	BF996S	9Mb / 130P	RF Manual 16th edition June 2012
Quanzhou Jinmei Electro...	BF996S	37Kb / 5P	N-channel dual-gate MOS-FET

Ähnliche Beschreibung - BF996S

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	BF988	139Kb / 8P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 08-Jul-99
	BF994S	119Kb / 7P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 20-Jan-99
	BF995	116Kb / 7P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 20-Jan-99
	BF998	155Kb / 9P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 23-Jun-99
	BF961	160Kb / 7P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 25-Nov-04
	BF998	318Kb / 10P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 05-Sep-08
	BF988	157Kb / 9P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 11-Sep-08
	BF966SA	161Kb / 8P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 15-Apr-05
Vishay Telefunken	BF966	396Kb / 10P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode - Depletion Mode

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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