BF998R Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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BF998R Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

BF998R Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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BF998R Produktdetails

Features

• Integrated gate protection diodes

• Low noise figure

• Low feedback capacitance

• High cross modulation performance

• Low input capacitance

• High AGC-range

• High gain

• Lead (Pb)-free component

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

Applications

• Input and mixer stages in UHF tuners

Ähnliche Teilenummer - BF998R

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	BF998R	114Kb / 12P	Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs 1996 Aug 01
Siemens Semiconductor G...	BF998R	33Kb / 2P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor)
Infineon Technologies A...	BF998R	249Kb / 6P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Feb-13-2004
Vishay Siliconix	BF998R	318Kb / 10P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 05-Sep-08
Infineon Technologies A...	BF998R	93Kb / 9P	Silicon N_Channel MOSFET Tetrode 2007-04-20

Ähnliche Beschreibung - BF998R

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	BF988	139Kb / 8P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 08-Jul-99
	BF994S	119Kb / 7P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 20-Jan-99
	BF995	116Kb / 7P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 20-Jan-99
	BF961	160Kb / 7P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 25-Nov-04
TEMIC Semiconductors	BF996S	68Kb / 5P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
Vishay Siliconix	BF998	318Kb / 10P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 05-Sep-08
	BF988	157Kb / 9P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 11-Sep-08
	BF966SA	161Kb / 8P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 15-Apr-05
Vishay Telefunken	BF966	396Kb / 10P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode - Depletion Mode

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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