BFR181T Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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BFR181T Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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BFR181T Produktdetails

Features
• Low noise figure
• High power gain

Applications
For low noise and high gain broadband amplifiers at collector currents from 0.5 mA to 12 mA.

Ähnliche Teilenummer - BFR181T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Infineon Technologies A...	BFR181T	70Kb / 7P	NPN Silicon RF Transistor Aug-09-2001
Vishay Siliconix	BFR181TF	171Kb / 5P	Silicon NPN Planar RF Transistor 28-Apr-05

Ähnliche Beschreibung - BFR181T

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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	TSDF1220	81Kb / 6P	Silicon NPN Planar RF Transistor 30-Jun-00
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	S852TF	147Kb / 4P	Silicon NPN Planar RF Transistor 02-May-05
	BFP81	167Kb / 11P	Silicon NPN Planar RF Transistor 05-Sep-08
	BFR91A	168Kb / 8P	Silicon NPN Planar RF Transistor 08-Sep-08
	BFW92A	153Kb / 7P	Silicon NPN Planar RF Transistor 08-Sep-08
	BFQ67F	87Kb / 5P	Silicon NPN Planar RF Transistor 05-Sep-08

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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