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MJ11012 Datenblatt (PDF) - Inchange Semiconductor Company Limited

MJ11012 Datasheet PDF - Inchange Semiconductor Company Limited
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Bauteilbeschribung isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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MJ11012 Datenblatt (HTML) - Inchange Semiconductor Company Limited


MJ11012 Produktdetails

DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage-
   : V(BR)CEO= 60V(Min.)
• High DC Current Gain-
   : hFE= 1000(Min.)@IC= 20A
• Low Collector Saturation Voltage-
   : VCE (sat)= 3.0V(Max.)@ IC= 20A
• Complement to Type MJ11011

APPLICATIONS
• Designed for use as output devices in complementary
   general purpose amplifier applications.




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Über Inchange Semiconductor Company Limited


Die Inchange Semiconductor Company Limited ist eine chinesische Halbleiterfirma, die 1997 gegründet wurde.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten, darunter diskrete und analoge Leistungsgeräte sowie Dioden für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

Inchange ist bekannt für seine Fokussierung auf Qualität und Zuverlässigkeit, und seine Produkte werden häufig für das Energiemanagement, die Beleuchtung und andere Anwendungen verwendet.

Das Unternehmen ist in mehreren Ländern tätig und ist einer der führenden Lieferanten von Stromgeräten und Dioden in der asiatisch-pazifischen Region.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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