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TCED1100G Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TCED1100G Datasheet PDF - Vishay Siliconix
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TCED1100G Datasheet (PDF)

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TCED1100G Datenblatt (HTML) - Vishay Siliconix


TCED1100G Produktdetails

Description
The TCED1100/ TCED2100/ TCED4100 consists of a phototransistor optically coupled to a gallium arsenide infrared-emitting diode in a 4-lead up to 16-lead plastic dual inline package.
The elements are mounted on one leadframe using a coplanar technique, providing a fixed distance between input and output for highest safety requirements.

Features
Approvals:
● BSI: BS EN 41003, BS EN 60095 (BS 415), BS EN 60950 (BS 7002), Certificate number 7081 and 7402
● FIMKO (SETI): EN 60950, Certificate number 11992
● Underwriters Laboratory (UL) 1577 recognized, file number E-76222 – Double Protection
● CSA (C–UL) 1577 recognized, file number E-76222 – Double Protection
● VDE 0884, Certificate number 115667

VDE 0884 related features:
● Rated impulse voltage (transient overvoltage) VIOTM = 8 kV peak
● Isolation test voltage (partial discharge test voltage) Vpd = 1.6 kV
● Rated isolation voltage (RMS includes DC) VIOWM = 600 VRMS (848 V peak)
● Rated recurring peak voltage (repetitive) VIORM = 600 VRMS
● Creepage current resistance according to VDE 0303/IEC 112 Comparative Tracking Index: CTI ≥ 175
● Thickness through insulation ≥ 0.75 mm
● Internal creepage distance > 4 mm

General features:
● Isolation materials according to UL94-VO
● Pollution degree 2 (DIN/VDE 0110 / resp. IEC 664)
● Climatic classification 55/100/21 (IEC 68 part 1)
● Special construction:
   Therefore, extra low coupling capacity of
   typical 0.2 pF, high Common Mode Rejection
● Low temperature coefficient of CTR
● G = Leadform 10.16 mm;
   provides creepage distance > 8 mm,
   for TCED2100/ TCED4100 optional;
   suffix letter ‘G’ is not marked on the optocoupler
● Coupling System U

Applications
Circuits for safe protective separation against electrical shock according to safety class II (reinforced isolation):
● For appl. class I – IV at mains voltage ≤ 300 V
● For appl. class I – III at mains voltage ≤ 600 V according to VDE 0884, table 2, suitable for:




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Über Vishay Siliconix


Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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