TSAL5100 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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TSAL5100 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

TSAL5100 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs

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TSAL5100 Produktdetails

DESCRIPTION
TSAL5100 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs/GaAs technology with high radiant power, molded in a blue-gray plastic package.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-1¾
• Dimensions (in mm): ∅ 5
• Leads with stand-off
• Peak wavelength: λp = 940 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 10°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

APPLICATIONS
• Infrared remote control units with high power reqirements
• Free air transmission systems
• Infrared source for optical counters and card readers
• IR source for smoke detectors
• Smoke-automatic fire detectors

Ähnliche Teilenummer - TSAL5100

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSAL5100	111Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 04-Sep-08
	TSAL5100	113Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 29-Jun-09
	TSAL5100	101Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 24-Aug-11
	TSAL5100	111Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 04-Sep-08
	TSAL5100	113Kb / 5P	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs/GaAs 29-Jun-09

Ähnliche Beschreibung - TSAL5100

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	TSAL5300	291Kb / 8P	High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs 08-Mar-05
	TSML1000	353Kb / 10P	High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs 08-Mar-05
	TSUS5200	112Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 29-Jun-09
	TSML3710-GS08	135Kb / 8P	High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs 21-Feb-07
	TSUS6202	109Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 29-Sep-15
	TSUS5200	109Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 24-Aug-11
	TSUS4300	110Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 20-Oct-15
	TSKS5400	144Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 03-Sep-13
	CQY37N	281Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11
	TSUS4400	113Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 19-Jan-2021

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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