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2SD1619 Datenblatt (PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
2SD1619 Datasheet PDF - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
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Bauteilbeschribung PNP Silicon Medium Power Transistor

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2SD1619 Datenblatt (HTML) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH


2SD1619 Produktdetails

FEATURES

Power dissipation

    PCM : 500mW˄ Tamb=25°C

Collector current

    ICM : -1 A

Collector-base voltage

   VB(BR)CBO : -25 V

Operating and storage junction temperature range

  TJ,Tstg: -55ć to +150ć




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