BC859 Datenblatt(PDF)

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BC859 Datenblatt (PDF) - SEMTECH ELECTRONICS LTD.

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BC859 Produktdetails

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and AF amplifier applications.

The transistor is subdivided into three groups A, B and C, according to its DC current gain.

As complementary type the NPN transistor BC849 is recommended.

Ähnliche Beschreibung - BC859

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
AUK corp	SUR532H	235Kb / 3P	Epitaxial planar PNP silicon transistor
	SUR546J	229Kb / 3P	Epitaxial planar PNP silicon transistor
	SUR550J	229Kb / 3P	Epitaxial planar PNP silicon transistor
Continental Device Indi...	CMBT857	115Kb / 3P	PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Hi-Sincerity Mocroelect...	HSB649T	43Kb / 4P	SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
GTM CORPORATION	GI5706	948Kb / 3P	PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
Galaxy Semi-Conductor H...	KTA2015W	171Kb / 4P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Galaxy Semi-Conductor H...	MMSTA92	131Kb / 2P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor
Guangdong Kexin Industr...	2SA1772	44Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor
SHENZHEN YONGERJIA INDU...	A92	207Kb / 4P	PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

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Über SEMTECH ELECTRONICS LTD.

Die Semtech Corporation ist ein amerikanisches Technologieunternehmen, das sich auf das Design und die Herstellung von analogen und gemischten Signal-Halbleitern spezialisiert hat.

Das Unternehmen wurde 1960 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Camarillo, Kalifornien.

Semtech bietet eine breite Palette von Produkten für die Verwendung von Anwendungen mit Kommunikations-, Computer-, Industrie- und Verbraucheranwendungen.

Das Unternehmen ist bekannt für seine innovative Technologie und seine hochwertige Produkte und hat einen starken Ruf in der Halbleiterindustrie.

Semtech ist weltweit tätig und ist in vielen Ländern auf der ganzen Welt präsent und bedient Kunden in einer Vielzahl von Branchen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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