1SS420 Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

1SS420 Datenblatt (PDF) - SEMTECH ELECTRONICS LTD.

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SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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1SS420 Produktdetails

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications

Ähnliche Beschreibung - 1SS420

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	RB751V-40	125Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
	SB425D	119Kb / 1P	Silicon Epitaxial Planar Schottky Barrier Diode
	RB521S-30	187Kb / 3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
	SDB720WT	195Kb / 3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
	SB491D	145Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
	BAT378W	167Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
	SDA06WS	129Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
	SDB720WS	172Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
	RB161L-40	165Kb / 2P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE
SHIKUES Electronics	BAT54XV2	389Kb / 3P	SILICON EPITAXIAL PLANAR SCHOTTKY BARRIER DIODE

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Über SEMTECH ELECTRONICS LTD.

Die Semtech Corporation ist ein amerikanisches Technologieunternehmen, das sich auf das Design und die Herstellung von analogen und gemischten Signal-Halbleitern spezialisiert hat.

Das Unternehmen wurde 1960 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Camarillo, Kalifornien.

Semtech bietet eine breite Palette von Produkten für die Verwendung von Anwendungen mit Kommunikations-, Computer-, Industrie- und Verbraucheranwendungen.

Das Unternehmen ist bekannt für seine innovative Technologie und seine hochwertige Produkte und hat einen starken Ruf in der Halbleiterindustrie.

Semtech ist weltweit tätig und ist in vielen Ländern auf der ganzen Welt präsent und bedient Kunden in einer Vielzahl von Branchen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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