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VRF157FL Datenblatt (PDF) - Microsemi Corporation

VRF157FL Datasheet PDF - Microsemi Corporation
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VRF157FL Datasheet (PDF)

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VRF157FL Datenblatt (HTML) - Microsemi Corporation


VRF157FL Produktdetails

RF POWER VERTICAL MOSFET

The VRF157FL is a gold-metallized silicon n-channel RF power transistor designed for broadband commercial and military applications requiring high power and gain without compromising reliability, ruggedness, or intermodulation distortion.

FEATURES
• Improved Ruggedness V(BR)DSS = 170V
• 600W with 21dB Typical Gain @ 30MHz, 50V
• Excellent Stability & Low IMD
• Common Source Configuration
• Available in Matched Pairs
• Nitride Passivated
• Economical Flangeless Package
• Refractory Gold Metallization
• High Voltage Replacement for MRF157
• RoHS Compliant




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Über Microsemi Corporation


Die Microsemi Corporation war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleiter- und Systemlösungen spezialisierte.
Das Unternehmen wurde 1960 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Aliso Viejo, Kalifornien.
Microsemi bot eine breite Palette von Produkten, darunter analoge und gemischte integrierte Schaltkreise, feldprogrammierbare Gate-Arrays (FPGAs), Stromverwaltungs- und Steuerungsprodukte sowie andere Halbleiterlösungen.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Verteidigung und Sicherheit, Luft- und Raumfahrt und Luftfahrt, Industrie und Kommunikation verwendet.
Microsemi war bekannt für sein Fachwissen in der Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2018 wurde Microsemi von Microchip Technology, einem führenden Anbieter von Mikrocontroller-, Mischsignal-, Analog- und Sicherheitsprodukten, übernommen.
Die Marke Microsemi ist nicht mehr verwendet, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Microchip.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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