PDTD113E Datenblatt(PDF) - NXP Semiconductors

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PDTD113E Datenblatt (PDF) - NXP Semiconductors

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Ähnliche Teilenummer - PDTD113E

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	PDTD113E	67Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k-ohm, R2 = 1 k-ohm Rev. 01-14 April 2005
Nexperia B.V. All right...	PDTD113E	245Kb / 11P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ Rev. 02 - 16 November 2009
NXP Semiconductors	PDTD113EK	948Kb / 12P	Low VCEsat (BISS) transistors May 2006
NXP Semiconductors	PDTD113EK	67Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k-ohm, R2 = 1 k-ohm Rev. 01-14 April 2005
Nexperia B.V. All right...	PDTD113EK	245Kb / 11P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 kΩ, R2 = 1 kΩ Rev. 02 - 16 November 2009

Ähnliche Beschreibung - PDTD113E

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
NXP Semiconductors	PDTB113E	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTB113Z	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTB123E	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTB123Y	138Kb / 10P	PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTD123E	131Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 2.2 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTD123T	129Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = open Rev. 03-16 November 2009
	PDTD123Y	132Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTD113E	131Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓 Rev. 02-16 November 2009
	PDTD123Y	132Kb / 10P	NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors R1 = 2.2 k廓, R2 = 10 k廓 Rev. 02-16 November 2009
Nexperia B.V. All right...	PDTA113EMB	755Kb / 13P	PNP resistor-equipped transistor; R1 = 1 k廓, R2 = 1 k廓

Über NXP Semiconductors

NXP Semiconductors ist ein öffentlich gehandeltes multinationales Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleitern und integrierten Schaltungen für verschiedene Anwendungen entwirft und herstellt, einschließlich Automobil-, Industrie-, Kommunikations- und Verbrauchermärkte.

Das Unternehmen wurde 2006 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Eindhoven, Niederlande.

NXP bietet ein breites Produktportfolio an, darunter Mikrocontroller, Mikroprozessoren, sichere Authentifizierungs -ICs, ICs, ICs, RF- und Mikrowellenkomponenten sowie Sensorlösungen.

Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, sicher und zuverlässig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, einschließlich Automobilsysteme, industrielle Automatisierung und Steuerung, intelligente Häuser und Gebäude sowie angeschlossene Geräte.

NXP widmet sich der Innovation und der Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, den Kunden die besten Halbleiterlösungen zur Verfügung zu stellen, um ihre Bedürfnisse zu erfüllen.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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