BD234 Datenblatt(PDF) - ON Semiconductor

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BD234 Produktdetails

Plastic Medium Power Bipolar Transistors

Designed for use in 5.0 to 10 W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

Features
• DC Current Gain − hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc
• Epoxy Meets UL 94 V0 @ 0.125 in
• ESD Ratings: Human Body Model, 3B; >8000 V Machine Model, C; >400 V
• Pb−Free Packages are Available*

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Inchange Semiconductor ...	BD234	130Kb / 3P	Silicon PNP Power Transistors
Fairchild Semiconductor	BD234	43Kb / 4P	Medium Power Linear and Switching Applications

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	2N4918	120Kb / 6P	Medium-Power Plastic PNP Silicon Transistors July, 2004 ??Rev. 11
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ON Semiconductor	2N4921G	150Kb / 6P	Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors December, 2013 ??Rev. 14
	2N6387	113Kb / 6P	Plastic Medium-Power Silicon Transistors November, 2014 ??Rev. 15
	BD237G	93Kb / 5P	Plastic Medium Power Bipolar Transistors December, 2013 ??Rev. 17

Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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