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MBRB2060CT Datenblatt (PDF) - ON Semiconductor
MBRB2060CT Datasheet PDF - ON Semiconductor
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Bauteilbeschribung SWITCHMODE Power Rectifiers TO??20/D2PAK Surface Mount Power Package

MBRB2060CT Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung SWITCHMODE Power Rectifiers TO??20/D2PAK Surface Mount Power Package

MBRB2060CT Datenblatt (HTML) - ON Semiconductor


MBRB2060CT Produktdetails

SWITCHMODE™ Power Rectifiers
TO−220/D2PAK Surface Mount Power Package

These state−of−the−art devices employ the use of the Schottky Barrier principle with a platinum barrier metal.

Features
• Package Designed for Power Surface Mount Applications (D2PAK)
• Center−Tap Configuration (D2PAK)
• Guardring for Stress Protection
• Low Forward Voltage
• 175°C Operating Junction Temperature
• Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in
• Short Heat Sink Tab Manufactured − Not Sheared (D2PAK)
• Similar in Size to Industry Standard TO−220 Package
• Pb−Free Packages are Available




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Über ON Semiconductor

ON Semiconductor befindet sich ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von Halbleiterprodukten für eine Vielzahl von Anwendungen entwirft, entwickelt und herstellt, darunter Automobil-, Computer-, Konsumgüter-, Industrie- und Kommunikationsmärkte.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Phoenix, Arizona.
Über Semiconductor bietet unter anderem ein breites Portfolio an analogen und diskreten Halbleitern, einschließlich LeistungsmOSFETs, Dioden, Gleichrichter, Spannungsregulatoren.
Die Produkte des Unternehmens sind energieeffizient, zuverlässig und kostengünstig und werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter tragbare Elektronik, industrielle Automatisierungssysteme, erneuerbare Energiesysteme und Automobilelektronik.
Semiconductor engagiert sich für Innovation und Kundenzufriedenheit und setzt sich dafür ein, die besten Halbleiterlösungen für die Bedürfnisse unserer Kunden zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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