RF2145PCBA Datenblatt(PDF) - RF Micro Devices

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RF2145PCBA Datenblatt (PDF) - RF Micro Devices

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RF2145PCBA Produktdetails

Product Description
The RF2145 is a high power, high efficiency amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in a 4-cell DCS1800 or DCS1900 handset. The device is packaged in a 16-lead plastic package with wide ground leads, and is self-contained with the exception of the output matching network and power supply feed line. Only a single positive voltage is required to operate with full power and efficiency, and on-board power control and power-down functions are provided.

Features
• Single 4.8V Power Supply
• +32dBm Output Power
• 28dB Small Signal Gain
• 55% Power Added Efficiency
• Power Control
• 1700MHz to 1900MHz Frequency Range

Typical Applications
• 4.8V DCS1800/1900 Handsets
• 3V DECT Handsets and Base Stations
• Commercial and Consumer Systems
• Portable Battery Powered Equipment

Ähnliche Teilenummer - RF2145PCBA

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
RF Micro Devices	RF2140	176Kb / 12P	3V DCS POWER AMPLIFIER
	RF2140PCBA	176Kb / 12P	3V DCS POWER AMPLIFIER
	RF2146	129Kb / 8P	PCS LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF2146PCBA	129Kb / 8P	PCS LINEAR POWER AMPLIFIER

Ähnliche Beschreibung - RF2145PCBA

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Mitsubishi Electric Sem...	MA1078-2	23Kb / 1P	For DCS1800 - 20W Power Amplifier
Mitsubishi Electric Sem...	MA1100-1	23Kb / 1P	For DCS1800 - 30W Power Amplifier
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Motorola, Inc	MRFIC1818	216Kb / 8P	1700-1900 MHz MMIC DCS1800/PCS1900 INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
Renesas Technology Corp	E2081606_PF08127B	183Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
Renesas Technology Corp	PF08134B	123Kb / 14P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
Skyworks Solutions Inc.	AP119-89	35Kb / 4P	GaAs IC DCS 1800/1900 Power Amplifier
Skyworks Solutions Inc.	RM009	296Kb / 17P	Power Amplifier Module for Dual-band GSM900 DCS1800
Renesas Technology Corp	PF08127	140Kb / 18P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone Oct. 2002
Renesas Technology Corp	PF08134	138Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone May 13, 2004

Über RF Micro Devices

RF Micro Devices (RFMD) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Funkfrequenzkomponenten und -Lösungen für die drahtlose Kommunikation spezialisierte. Das Unternehmen wurde 1991 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Greensboro, North Carolina. RFMD bot eine breite Palette von Produkten, darunter Stromverstärker, Transceiver, Filter und andere HF-Komponenten, die in mobilen Geräten, Wi-Fi- und Bluetooth-Modulen und anderen drahtlosen Systemen verwendet wurden.

RFMD war bekannt für sein Fachwissen in der RF-Technologie und seine Fähigkeit, innovative und leistungsstarke Produkte bereitzustellen. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für die drahtlose Industrie beteiligt. Die Produkte von RFMD wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und trug dazu bei, das Wachstum der drahtlosen Industrie zu unterstützen.

Im Jahr 2015 wurde RFMD von Skyworks Solutions, Inc. übernommen, einem führenden Anbieter von analogen Hochleistungs-Halbleitern. Die Akquisition ermöglichte es Skyworks, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem HF -Markt zu erweitern und seine Position in der drahtlosen Branche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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