2SD2153 Datenblatt(PDF)

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2SD2153 Datenblatt (PDF) - Rohm


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High gain amplifier transistor (25V, 2A)

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Bauteilbeschribung	High gain amplifier transistor (25V, 2A)

2SD2153 Datenblatt (HTML) - Rohm

2SD2153 Produktdetails

Features
1) Low saturation voltage,
typically VCE(sat) = 0.12V at IC = IB = 1A / 20mA
2) Excellent DC current gain characteristics.

Ähnliche Beschreibung - 2SD2153

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Rohm	2SC5659	80Kb / 4P	High-frequency Amplifier Transistor(25V, 50mA, 300MHz)
Sanyo Semicon Device	2SC3807C	50Kb / 4P	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 25V / 2A High-hFE, Low Frequency General-Purpose Amplifier Applications
Guangdong Kexin Industr...	2SD2153	35Kb / 1P	High Gain Amplifier Transistor
Rohm	2SC5659	172Kb / 3P	High-frequency Amplifier Transistor (25V, 50mA, 300MHz)
	2SD2153	164Kb / 3P	High gain amplifier transistor (25V, 2A)
	2SC5659	147Kb / 3P	High-frequency Amplifier Transistor (25V, 50mA, 300MHz)
	2SD1383K	147Kb / 3P	High-gain Amplifier Transistor
	2SD1383K	114Kb / 4P	High-gain Amplifier Transistor
Diodes Incorporated	FZT1149A	566Kb / 7P	25V PNP MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR Rev 2
Guangdong Kexin Industr...	2SB852	104Kb / 2P	High-gain Amplifier Transistor

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Über Rohm

Rohm Semiconductor ist eine japanische Halbleiterfirma, die 1958 gegründet wurde.

Das Unternehmen ist auf das Design und die Herstellung einer Vielzahl von Produkten spezialisiert, darunter Stromverwaltung, Stromversorgungsgeräte sowie analoge und gemischte integrierte Schaltkreise.

Die Produkte von ROHM werden in verschiedenen Anwendungen wie Unterhaltungselektronik, Automobil, Industrie und Telekommunikation verwendet.

Das Unternehmen ist bekannt für seine Fokussierung auf energiesparende Technologien und sein Fachwissen in der Gestaltung mit geringer Leistung.

Rohm ist in über 20 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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