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IRGI4060DPBF Datenblatt (PDF) - International Rectifier
IRGI4060DPBF Datasheet PDF - International Rectifier
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Bauteilbeschribung INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA FAST RECOVERY DIODE

IRGI4060DPBF Datasheet (PDF)

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IRGI4060DPBF Datenblatt (HTML) - International Rectifier


IRGI4060DPBF Produktdetails

Features
• Low VCE (on) Trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• 5μs SCSOA
• Square RBSOA
• 100% of The Parts Tested for ILM 
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode
• Tighter Distribution of Parameters
• Lead-Free Package

Benefits
• High Efficiency in a Wide Range of Applications
• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due
   to Low VCE (ON) and Low Switching Losses
• Rugged Transient Performance for Increased Reliability
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation
• Low EMI




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Über International Rectifier

International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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