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IRGS4062DPBF Datenblatt (PDF) - International Rectifier

IRGS4062DPBF Datasheet PDF - International Rectifier
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IRGS4062DPBF Datasheet (PDF)

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IRGS4062DPBF Datenblatt (HTML) - International Rectifier

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IRGS4062DPBF Produktdetails

Features
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology
• Low switching losses
• Maximum Junction temperature 175 °C
• 5 µS short circuit SOA
• Square RBSOA
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM)
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient
• Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode
• Tight parameter distribution
• Lead Free Package

Benefits
• High Efficiency in a wide range of applications
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to
   Low VCE (ON) and Low Switching losses
• Rugged transient Performance for increased reliability
• Excellent Current sharing in parallel operation
• Low EMI




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Über International Rectifier


International Gleichrichter (IR) war ein amerikanisches Unternehmen, das sich auf die Konstruktion und Herstellung von Halbleitern für Energieverwaltungen und Leistungskontrolle spezialisierte.
Die Firma wurde 1947 gegründet und hat seinen Hauptsitz in El Segundo, Kalifornien.
IR stellte eine breite Palette von Produkten zur Verfügung, darunter ICS -MOSFETs, IGBTs und andere Stromversorgungsprodukte.
Die Produkte des Unternehmens wurden in verschiedenen Anwendungen wie Computer, Telekommunikation und industrielle Automatisierung verwendet.
IR war bekannt für seine Expertise in Bezug auf die Energieverwaltung und -kontrolltechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden qualitativ hochwertige und zuverlässige Produkte zu liefern.
Im Jahr 2014 wurde IR von Infineon Technologies, einem führenden Anbieter von Stromverwaltungs- und Kontrollprodukten und anderen Halbleiterlösungen, übernommen.
Die Marke International Gleichrichter ist nicht mehr in Gebrauch, aber ihre Technologie und Produkte sind weiterhin Teil des Portfolios von Infineon.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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