FC129 Datenblatt(PDF) - Sanyo Semicon Device

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FC129 Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

FC129 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

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Bauteilbeschribung	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

FC129 Datenblatt (HTML) - Sanyo Semicon Device

FC129 Datasheet HTML 1Page - Sanyo Semicon Device

FC129 Datasheet HTML 2Page - Sanyo Semicon Device

FC129 Produktdetails

Switching Applications (with Bias Resistance)

Features
• On-chip bias resistance (R1=10kΩ).
• Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.
• The FC129 is formed with two chips, being equivalent to the 2SA1496, placed in one package.
• Excellent in thermal equilibrium and pair capability.

Ähnliche Teilenummer - FC129

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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Sanyo Semicon Device	FC120	174Kb / 6P	High-Frequency General-Purpose Amp, Differential Amp Applications
RCD COMPONENTS INC.	FC1206-100-FB	27Kb / 1P	FUSIBLE CHIP RESISTORS
	FC1206-100-FT	27Kb / 1P	FUSIBLE CHIP RESISTORS
	FC1206-100-GB302	25Kb / 1P	TEMPERATURE SENSITIVE CHIP RESISTORS

Ähnliche Beschreibung - FC129

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	FC124	36Kb / 2P	NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC125	36Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC127	37Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
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	FC133	44Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC135	45Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC137	43Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)
	FC142	46Kb / 2P	PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Switching Applications (with Bias Resistance)

Über Sanyo Semicon Device

Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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