FC802 Datenblatt(PDF) - Sanyo Semicon Device

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FC802 Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

FC802 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


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Hersteller	SANYO [Sanyo Semicon Device]

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Bauteilbeschribung

Composite Diode for High-Speed Switching Applications

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Bauteilbeschribung	Composite Diode for High-Speed Switching Applications

FC802 Datenblatt (HTML) - Sanyo Semicon Device

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FC802 Produktdetails

Features
• Composite type with 4 diodes cintained in the CP
package currently in use, resulting in the greatly
improved circuit board using efficiency.
• The FC802 is formed with two chips, each being
equivalent to the DCB015, placed in one package.
• Fast switching speed.

Ähnliche Teilenummer - FC802

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Positronic.	FC8020D2	4Mb / 86P	Positronic Provides Complete Capability
	FC8022D2AL	4Mb / 86P	Positronic Provides Complete Capability
	FC8022D2CH	4Mb / 86P	Positronic Provides Complete Capability
	FC8022D2CO	4Mb / 86P	Positronic Provides Complete Capability
	FC8022D2CU	4Mb / 86P	Positronic Provides Complete Capability

Ähnliche Beschreibung - FC802

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Toshiba Semiconductor	1SS250	128Kb / 2P	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	1SS401	107Kb / 2P	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
	1SS402	112Kb / 2P	DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS)
Sanyo Semicon Device	FC801	43Kb / 2P	Composite Diode for High-Speed Switching Applications
	FC807	46Kb / 2P	High-Speed Switching Composite Diode Anode Common
	FC808	47Kb / 2P	High-Speed Switching Composite Diode Cathode Common
	FC903	21Kb / 2P	High-Speed Switching Composite Diode
Siemens Semiconductor G...	BAS16W	67Kb / 4P	Silicon Switching Diode (For high speed switching applications)
Infineon Technologies A...	BAV99E6327	171Kb / 13P	For high-speed switching applications 2007-09-19
Infineon Technologies A...	BAV99S-E6327	171Kb / 13P	For high-speed switching applications 2007-09-19

Über Sanyo Semicon Device

Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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