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GMA02 Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

GMA02 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device
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Hersteller  SANYO [Sanyo Semicon Device]
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Bauteilbeschribung Very High-Speed Switching Diode

GMA02 Datasheet (PDF)

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GMA02 Datenblatt (HTML) - Sanyo Semicon Device

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GMA02 Produktdetails

Features
· Glass sleeve structure.
· Allowable power dissipation : P=300mW max.
· Interterminal capacitance : C=3.0pF max.
· Breakdown voltage : VR=220V.




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Über Sanyo Semicon Device


Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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