LB1287 Datenblatt(PDF) - Sanyo Semicon Device

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LB1287 Datenblatt (PDF) - Sanyo Semicon Device

LB1287 Datasheet PDF - Sanyo Semicon Device


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Darlington Transistor Array

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Bauteilbeschribung	Darlington Transistor Array

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LB1287 Produktdetails

Overview
These ICs have circuit configuration of 5-unit Darlington transistor array consisting of NPN transistors and are capable of causing small input current to provide large current drive. They can be advantageously incorporated in equipment because the specially designed 14-pin DIP makes such equipment more compact.

Features
• Large maximum drive current : 400mA
• Large allowable power dissipation : 1.15W
• Wide range of operating supply voltage. LB1287 5 to 30V, LB1288 5 to 20V
• Wide range of operating temperature. –20 to +80˚C
• Large current-amplification factor : 2000 or more

Applications
• Various types of driver (relay, solenoid, motor, etc.).
• Display segment or digit driver (LED, lamp).
• Interface to MOS or bipolar logic IC.
• Power amplification of pulse (fan-out extension, etc.).

Ähnliche Teilenummer - LB1287

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Power Innovations Ltd	LB1201AB	286Kb / 14P	DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
List of Unclassifed Man...	LB1201AB	649Kb / 15P	LH1263 E&M Signaling Circuit
Power Innovations Ltd	LB1201AS	286Kb / 14P	DUAL FORWARD-CONDUCTING P-GATE THYRISTORS PROGRAMMABLE OVERVOLTAGE PROTECTORS
List of Unclassifed Man...	LB1201AS	649Kb / 15P	LH1263 E&M Signaling Circuit
Sanyo Semicon Device	LB1205	70Kb / 2P	High-Voltage, High- Current Darlington Driver

Ähnliche Beschreibung - LB1287

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Texas Instruments	ULQ2003A	143Kb / 9P	DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
fujitsu semiconductor	FT5754M	135Kb / 2P	SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
	FT5763M	132Kb / 2P	SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
	FT5764M	130Kb / 2P	SILICON DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
Texas Instruments	ULN2803A	240Kb / 10P	DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
List of Unclassifed Man...	FT5761M	6Kb / 1P	DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
Texas Instruments	ULN2803A	353Kb / 11P	DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
Texas Instruments	ULN2803A	436Kb / 12P	DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
First Silicon Co., Ltd	FD62003AP	259Kb / 6P	7 CIRCUIT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY
Texas Instruments	ULN2803C	1Mb / 20P	ULN2803C Darlington Transistor Array AUGUST 2022

Über Sanyo Semicon Device

Die Sanyo Semiconductor Device Corporation oder Sanyo Semicon Device war eine Tochtergesellschaft von Sanyo Electric Co., Ltd., einem japanischen Elektronikunternehmen. Sanyo Semicon Device war ein Hersteller von Halbleitergeräten, einschließlich Dioden, Transistoren und anderen Komponenten für Unterhaltungselektronik-, Automobil- und Industrieanwendungen. Das Unternehmen wurde 1970 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Osaka, Japan.

Das Sanyo Semicon-Gerät war bekannt für seine hochwertigen Produkte und sein Engagement für die Erfüllung der Bedürfnisse seiner Kunden. Das Unternehmen konzentrierte sich stark auf Forschung und Entwicklung und war an der Entwicklung neuer Technologien und Produkte für die Halbleiterindustrie beteiligt. Die Produkte von Sanyo Semicon Device wurden in einer Vielzahl von Anwendungen häufig eingesetzt und haben das Wachstum der Elektronikindustrie unterstützt.

Im Jahr 2010 wurde Sanyo Electric von der Panasonic Corporation, einem führenden globalen Elektronikunternehmen, übernommen. Infolgedessen wurde Sanyo Semicon Device eine Tochtergesellschaft von Panasonic und wurde in sein Semiconductor -Geschäft integriert. Die Akquisition ermöglichte es Panasonic, sein Produktportfolio und seine Angebote auf dem Halbleitermarkt zu erweitern und seine Position in der Elektronikbranche weiter zu stärken.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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