FZT789A Datenblatt(PDF) - Diodes Incorporated

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FZT789A Datenblatt (PDF) - Diodes Incorporated

FZT789A Datasheet PDF - Diodes Incorporated


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SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

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FZT789A Datenblatt (HTML) - Diodes Incorporated

FZT789A Datasheet HTML 1Page - Diodes Incorporated

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FZT789A Produktdetails

Features
• BVCEO > -25V
• IC = -3A high Continuous Current
• Low saturation voltage VCE(sat) < -250mV @ -1A
• RCE(sat) = 93mΩ for a low equivalent On-Resistance
• hFE specified up to -6A for a high gain hold up
• Complementary NPN Type: FZT689B
• Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable (Note 4)

Applications
• Power MOSFET & IGBT gate driving
• Battery powered circuits
• Fast charge converters
• Low loss power switching

Ähnliche Teilenummer - FZT789A

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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Guangdong Kexin Industr...	FZT789A	38Kb / 2P	NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor
Zetex Semiconductors	FZT789A-PNP	82Kb / 2P	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
Diodes Incorporated	FZT789AQTA	535Kb / 7P	25V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Rev 5
Diodes Incorporated	FZT789ATA	535Kb / 7P	25V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT223 Rev 5

Ähnliche Beschreibung - FZT789A

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
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Zetex Semiconductors	FZT788ATA	87Kb / 2P	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
List of Unclassifed Man...	FZT795ATA	97Kb / 2P	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR
Diodes Incorporated	FZT688B	114Kb / 2P	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR OCTOBER 1995
	FZT694B	111Kb / 2P	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR OCTOBER 1995
	FZT1047A	131Kb / 4P	SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR AUGUST 1997
	FZT796A	90Kb / 2P	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR OCTOBER 1995
	FZT788B	93Kb / 2P	SOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR OCTOBER 1995

Über Diodes Incorporated

DioDes Incorporated ist ein börsennotiertes Unternehmen, das eine breite Palette von diskreten, analogen und gemischten Signal-Halbleitern und vollständigen Leistungslösungen entwirft, produziert und liefert.
Das Unternehmen wurde 1964 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Plano, Texas.
Es arbeitet weltweit mit Vertriebs-, Support- und Designzentren in Nordamerika, Europa und Asien.
DioDes Incorporated dient einer Vielzahl von Branchen, darunter Automobil, Kommunikation, Computer, Verbraucher und Industrie.
Das Unternehmen bietet unter anderem eine breite Palette von Produkten, darunter Dioden, Gleichrichter, Transistoren, Spannungsregulatoren, MOSFETs, LED -Treiber und Schutzgeräte.
Die Mission des Unternehmens ist es, den Kunden qualitativ hochwertige, qualitativ zuverlässige Produkte und hervorragende Kundenservice zu bieten.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit ist DioDes Incorporated verpflichtet, ein führender Anbieter von Power Management -Lösungen zu werden.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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