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IXFP7N80P Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXFP7N80P Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXFP7N80P Datasheet (PDF)

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Bauteilbeschribung Polar HiPerFET Power MOSFET

IXFP7N80P Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXFP7N80P Produktdetails

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier

Features
● International Standard Packages
● Dynamic dv/dt Rating
● Avalanche Rated
● Fast Intrinsic Rectifier
● Low QG

Applications
● DC-DC Converters
● Battery Chargers
● Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies
● Uninterrupted Power Supplies
● AC Motor Drives
● High Speed Power Switching Applications

Advantages
● Easy to Mount
● Space Savings




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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