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IXGH20N120B Datenblatt (PDF) - IXYS Corporation

IXGH20N120B Datasheet PDF - IXYS Corporation
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IXGH20N120B Datasheet (PDF)

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IXGH20N120B Datenblatt (HTML) - IXYS Corporation


IXGH20N120B Produktdetails

VCES = 1200 V

IC25 = 40 A

VCE(sat) = 3.4 V

tfi(typ) = 160 ns



Features

• High Voltage IGBT for resonant power supplies

   - Induction heating

   - Rice cookers

• International standard packages

   JEDEC TO-268 surface and

   JEDEC TO-247 AD

• Low switching losses, low V(sat)

• MOS Gate turn-on

   - drive simplicity



Advantages

• High power density

• Suitable for surface mounting

• Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)



 




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Über IXYS Corporation


Die IXYS Corporation ist ein Technologieunternehmen, das sich auf das Design, die Herstellung und den Verkauf von Power -Halbleitern und integrierten Schaltungen (ICs) spezialisiert hat. Das Unternehmen wurde 1983 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien. IXYS ist global präsent, mit Operationen und Kunden in über 60 Ländern auf der ganzen Welt.

IXYS bietet eine breite Palette von Produkten und Lösungen, darunter Power -MOSFETs, bipolare Stromtransistoren, Thyristoren, Dioden und ICs für Leistungsmanagement- und Kontrollanwendungen. Die Produkte des Unternehmens werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet, darunter erneuerbare Energien, Industrie-, Automobil- und Unterhaltungselektronik.

IXYS ist bekannt für seine Expertise in der Power-Halbleitertechnologie und seine Fähigkeit, seinen Kunden hohe Leistung und kostengünstige Lösungen zu bieten. Das Unternehmen engagiert sich für Innovation, Forschung und Entwicklung und engagiert sich aktiv an der Entwicklung neuer Technologien und Lösungen für den Power -Halbleitermarkt. IXYS ist ein anerkannter Marktführer auf dem Power Semiconductor-Markt und bietet seinen Kunden weiterhin qualitativ hochwertige Produkte und Dienstleistungen an.

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