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PTF180101S Datenblatt (PDF) - Infineon Technologies AG

PTF180101S Datasheet PDF - Infineon Technologies AG
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Hersteller  INFINEON [Infineon Technologies AG]
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Bauteilbeschribung LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz

PTF180101S Datasheet (PDF)

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Hersteller  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Direct Link  http://www.infineon.com
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Bauteilbeschribung LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10 W, 1805-1880 MHz, 1930-1990 MHz 10 W, 2110-2170 MHz

PTF180101S Datenblatt (HTML) - Infineon Technologies AG

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PTF180101S Produktdetails

Description
The PTF180101 is a 10 W, internally–matched GOLDMOS FET device intended for EDGE applications in the DCS/PCS band. Full gold metallization
ensures excellent device lifetime and reliability.

Features
• Typical EDGE performance
   - Average output power = 4.0 W
   - Gain = 19.0 dB
   - Efficiency = 28%
   - EVM = 1.1 %
• Typical WCDMA performance
   - Average output power = 1.8 W
   - Gain = 18.0 dB
   - Efficiency = 20%
   - ACPR = –45 dBc
• Typical CW performance
   - Output power at P–1dB = 15 W
   - Efficiency = 50%
• Integrated ESD protection:
   Human Body Model Class 1 (minimum)
• Excellent thermal stability
• Low HCI drift
• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
   10 W (CW) output power




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Über Infineon Technologies AG


Infineon Technologies ist ein führender globaler Halbleiterhersteller, der sich auf die Bereitstellung von Leistungsmanagement-, Sicherheits- und Kontrolllösungen für eine Vielzahl von Branchen wie Automobil-, Industrie- und Kommunikationssystemen spezialisiert hat.
Das Unternehmen wurde 1999 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Neubiberg.
Infineon bietet eine breite Palette von Produkten, darunter Mikrocontroller, Power -Halbleiter, Sensoren und andere integrierte Schaltungen.
Das Unternehmen ist auf dem globalen Markt stark vertreten, mit Betrieb und Einrichtungen in verschiedenen Ländern auf der ganzen Welt.

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