WSLP4026 Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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WSLP4026 Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

WSLP4026 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 7 W), Low Value (Down to 0.0005 ), Surface Mount

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Bauteilbeschribung	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 7 W), Low Value (Down to 0.0005 ), Surface Mount

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WSLP4026 Produktdetails

FEATURES
• High power to foot print size ratio
• All welded construction of the Power Metal Strip® resistors are ideal for all types of current sensing, voltage division and pulse applications
• Proprietary processing technique produces extremely low resistance values, down to 0.0002 
• Sulfur resistance by construction that is unaffected by high sulfur environments
• Specially selected and stabilized materials allow for high power rating (to 7 W)
• Solid metal nickel-chrome or manganese-copper alloy resistive element with low TCR (< 20 ppm/°C)
• Very low inductance 0.5 nH to 5 nH
• Low thermal EMF (< 3 μV/°C)
• AEC-Q200 qualified (1)
• Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

Ähnliche Teilenummer - WSLP4026

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	WSLP4026	143Kb / 5P	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 12 W), Low Value (Down to 0.0002 Ω), Surface Mount 12-Jan-2022
	WSLP4026	100Kb / 4P	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 7 W), Low Value (down to 0.0003 ohm), Surface Mount 07-Aug-15
	WSLP4026	143Kb / 5P	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 12 W), Low Value (Down to 0.0002 Ω), Surface Mount 12-Jan-2022

Ähnliche Beschreibung - WSLP4026

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	WSLP2726	104Kb / 3P	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 7 W), Low Value (Down to 0.0005 ), Surface Mount 26-Jan-11
	WSL2010R0500FEA	86Kb / 3P	Power Metal Strip® Resistors, Low Value (Down to 0.0005 Ohm), Surface Mount 06-Jun-12
	WSLP1206R0300FEA	98Kb / 3P	Power Metal Strip Resistors, Very High Power (to 3 W), Low Value (down to 0.0005 Ohm), Surface Mount 18-Apr-12
	WSLP12065L000FEA	98Kb / 3P	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 3 W), Low Value (down to 0.0005 Ohm), Surface Mount 18-Apr-12
	WSL12067L000FEA	86Kb / 3P	Power Metal Strip® Resistors, Low Value (Down to 0.0005 Ω), Surface Mount 06-Jun-12
	WSLP0603R0100FEB	98Kb / 3P	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 3 W), Low Value (down to 0.0005 Ohm), Surface Mount 18-Apr-12
	WSL1206R2000FEA	86Kb / 3P	Power Metal Strip® Resistors, Low Value (Down to 0.0005 Ω), Surface Mount 06-Jun-12
	WSL2816R0500FEH	87Kb / 3P	Power Metal Strip® Resistors, Low Value (down to 0.0005 Ohm), Surface Mount 05-Mar-14
	WSLP	85Kb / 3P	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 3 W), Low Value (down to 0.0005 ohm), Surface Mount 30-Apr-15
	WSLP	141Kb / 4P	Power Metal Strip® Resistors, Very High Power (to 3 W), Low Value (Down to 0.0005 Ω), Surface-Mount 09-Aug-2022

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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