GA200SA60SP Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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GA200SA60SP Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

GA200SA60SP Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Teilenummer	GA200SA60SP

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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A

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Hersteller	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Bauteilbeschribung	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A

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GA200SA60SP Produktdetails

Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCERevision: 22-Jul-10
(on), 342 A

FEATURES

• Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low speed up to 5 kHz

• Lowest conduction losses available

• Fully isolated package (2500 VAC)

• Very low internal inductance (5 nH typical)

• Industry standard outline

• UL approved file E78996

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

• Designed and qualified for industrial level

BENEFITS

• Designed for increased operating efficiency in power conversion: UPS, SMPS, TIG welding, induction heating

• Easy to assemble and parallel

• Direct mounting to heatsink

• Plug-in compatible with other SOT-227 packages

Ähnliche Teilenummer - GA200SA60SP

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	GA200SA60SP	322Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Vishay Siliconix	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10
Vishay Siliconix	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10

Ähnliche Beschreibung - GA200SA60SP

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
International Rectifier	IRG4BC30K	137Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4PC30F	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRG4PC40W	116Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGBF20F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
	IRG4BH20K-LPBF	298Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
Vishay Siliconix	VS-GA250SA60S	288Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-May-16
	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10
	VS-GT250SA60S	196Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-Jul-2021
	VS-GT250SA60S	196Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-Jul-2021

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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