26NM60N Datenblatt(PDF) - STMicroelectronics

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26NM60N Produktdetails

Description
This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance

Applications
■ Switching applications

Ähnliche Teilenummer - 26NM60N

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	26N50L-T3P-T	187Kb / 6P	26A, 500V N-CHANNEL POWER MOSFET
Mclennan Servo Supplie...	26N58	692Kb / 1P	Precious metal commutation
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Ähnliche Beschreibung - 26NM60N

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	STL20NF20	777Kb / 12P	N-channel 200 V, 0.10 Ω, 15 A PowerFLAT™ (5x6) low gate charge STripFET™ Power MOSFET 11-Dec-2009
	STW26NM60N-H	681Kb / 12P	N-channel 600 V, 0.135 Ω, 20 A TO-247 MDmesh™ II Power MOSFET 06-Oct-2009

Über STMicroelectronics

Stmicroelectronics ist ein multinationaler Elektronik- und Halbleiterhersteller mit Sitz in Genf, Schweiz.

Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Produkten an, darunter Mikrocontroller, Sensoren, Stromverstärker und integrierte Schaltkreise für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte.

STMICROELECTRONICS wurde 1987 gegründet und ist in über 100 Ländern betrieben und ist eines der größten Halbleiterunternehmen der Welt.

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