V40100G Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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V40100G Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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Ähnliche Teilenummer - V40100G

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100G	163Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Jun-09
	V40100G-E3	161Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Sep-13
	V40100G-E3	217Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 19-Jun-2018
	V40100G-E3/4W	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08

Ähnliche Beschreibung - V40100G

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	V40100C	140Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 23-Mar-11
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	V30100PW-M3	77Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Feb-10

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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