VT3080C Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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VT3080C Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

VT3080C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


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VT3080C Produktdetails

FEATURES
• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS
For use in high frequency DC/DC converters, switching power supplies, freewheeling diodes, OR-ing diode, and reserve battery protection.

Ähnliche Teilenummer - VT3080C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VT3080C	148Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Sep-09
	VT3080C-E3	166Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 25-Oct-13
	VT3080C-E3	207Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 16-Mar-18
	VT3080C-E3/4W	148Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 08-Sep-09
	VT3080C-E3	155Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 22-Dec-14

Ähnliche Beschreibung - VT3080C

Hersteller	Teilenummer	Datenblatt	Bauteilbeschribung
Vishay Siliconix	VBT4060C	81Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 07-Dec-10
	VFT4060C	79Kb / 4P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 07-Dec-10
	V20WM100C-M3	121Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 04-Dec-13
	V15W60C-M3	123Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 04-Dec-13
	V12W60C-M3	123Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 04-Dec-13
	V30D60C	123Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Dec-13
	VT3080C	166Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 25-Oct-13
	V30DL50C-M3	128Kb / 6P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 13-Dec-13
Unisonic Technologies	TGBR30L45C	153Kb / 3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Unisonic Technologies	TGBR30U100C	132Kb / 3P	DUAL TRENCH MOS SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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