V10PL45-M3/87A Datenblatt(PDF) - Vishay Siliconix

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V10PL45-M3/87A Datenblatt (PDF) - Vishay Siliconix

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V10PL45-M3/87A Produktdetails

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency DC/DC converters, freewheeling, and polarity protection applications.

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	V10PL45-M3	86Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 09-Dec-13
	V10PL45-M3	103Kb / 5P	High Current Density Surface Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.28 V at IF = 5 A Revision: 30-Oct-2019

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	V20PW10C	119Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 01-Jun-17
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Über Vishay Siliconix

Vishay Siliconix ist eine Tochtergesellschaft von Vishay Intertechnology, einem globalen Hersteller passiver elektronischer Komponenten.
Vishay Siliconix ist spezialisiert auf das Design, die Herstellung und Vermarktung von Energie -MOSFETs, IGBTs und anderen Power -Halbleitern.
Das Unternehmen wurde 1962 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Santa Clara, Kalifornien.
Vishay Siliconix bietet Power Solutions für eine Vielzahl von Anwendungen, darunter erneuerbare Energiesysteme, Industriegeräte, Computer und Telekommunikation sowie Automobilelektronik.
Die Produkte des Unternehmens sind für hohe Effizienz, geringem Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit ausgelegt und werden in hochmodernen Einrichtungen mit fortschrittlichen Herstellungsprozessen hergestellt.
Mit dem Fokus auf Innovation und Kundenzufriedenheit setzt sich Vishay Siliconix dafür ein, den Kunden die besten Stromverwaltungslösungen für ihre Bedürfnisse zu bieten.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.

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