NP28N10SDE Datenblatt(PDF)

Datenblatt-Suchmaschine für elektronische Bauteile

NP28N10SDE Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp

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NP28N10SDE Produktdetails

Description
The NP28N10SDE is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

Features
• Low on-state resistance
RDS(on)1 = 52 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 14 A)
RDS(on)2 = 59 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 14 A)
• Low Ciss: Ciss = 2200 pF TYP. (VDS = 25 V)
• Designed for automotive application and AEC-Q101 qualified

Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

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