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RJK0214DPA Datenblatt (PDF) - Renesas Technology Corp
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Bauteilbeschribung Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

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Hersteller  RENESAS [Renesas Technology Corp]
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Bauteilbeschribung Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

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RJK0214DPA Produktdetails

Features
• Low on-resistance
• Capable of 4.5 V gate drive
• High density mounting
• Pb-free
• Halogen-free

Applications
   DC-DC conversion for PC and Server.




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Über Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp ist ein japanisches Halbleiterunternehmen, das eine breite Palette von Mikrocontrollern, System-auf-Chips sowie Analog- und Stromversorgungsgeräten für verschiedene Anwendungen in den Märkten Automobil-, Industrie- und Verbrauchermärkte bietet.
Das Unternehmen wurde 2010 durch die Fusion der NEC Electronics Corporation und der Renesas Technology Corporation gegründet.
Renesas ist einer der größten Mikrocontroller -Lieferanten der Welt und ist bekannt für sein Fachwissen in der Entwicklung fortschrittlicher Technologien in Bereichen wie dem Internet of Things (IoT), künstlicher Intelligenz (KI) und Automobilelektronik.
Das Unternehmen hat in über 20 Ländern betrieben und seine Produkte werden in einer Vielzahl von Anwendungen verwendet.

*Diese Informationen dienen nur zu allgemeinen Informationszwecken. Wir haften nicht für Verluste oder Schäden, die durch die oben genannten Informationen verursacht werden.




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